[发明专利]穿硅过孔保护环有效
| 申请号： | 200980162606.2 | 申请日： | 2009-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102668050A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | C·杨;J·钱;H·吴 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/46 | 分类号： | H01L21/46 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及在微电子器件晶片（100）的刻道附近形成多个穿硅过孔保护环（130）。该微电子器件晶片（100）包括衬底（114），其中通过形成延伸完全穿过所述衬底（114）的过孔（132）来制造穿硅过孔保护环（130）。该穿硅过孔保护环（130）起到裂纹（124）抑制装置的作用，从而大体上减少或消除由微电子晶片的切割所导致的裂纹（124）引起的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 保护环 | ||
【主权项】：
一种微电子管芯，包括：衬底，所述衬底具有第一表面和第二表面以及设置在所述衬底的第一表面上的互连层，所述衬底包括在所述衬底的第一表面附近形成的集成电路；以及多个过孔，所述多个过孔在所述衬底的至少一个边缘附近并且从所述衬底的第一表面延伸到所述衬底的第二表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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