[发明专利]电子发射元件以及具有该电子发射元件的摄像装置无效
申请号: | 200980162893.7 | 申请日: | 2009-12-17 |
公开(公告)号: | CN102656660A | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
发明(设计)人: | 吉成正树 | 申请(专利权)人: | 日本先锋公司;日本先锋微电子技术公司 |
主分类号: | H01J1/312 | 分类号: | H01J1/312;H01J29/04;H01J31/28 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的技术问题是提供一种即使设置聚焦电极层、栅电极层以及聚焦电极层也不会借助碳层而导通的面发射型电子发射元件以及具有该电子发射元件的摄像装置。作为解决上述技术问题的手段,电子发射元件具有:从面发射部发射电子的电子发射层;聚焦电极层,其隔着第1绝缘体层成膜在电子发射层的表面,使发射出的电子聚焦;栅电极层,其隔着第2绝缘体层,成膜在聚焦电极层的表面;发射凹部,其贯通栅电极层、第2绝缘体层、聚焦电极层以及所述第1绝缘体层,在面发射部的表面开口成凹状;碳层,其成膜在从栅电极层的表面到发射凹部的内周面的范围内;以及部分绝缘部,其使聚焦电极层与碳层绝缘。 | ||
搜索关键词: | 电子 发射 元件 以及 具有 摄像 装置 | ||
【主权项】:
一种电子发射元件,其特征在于,该电子发射元件具有:电子发射层,其从面发射部发射电子;聚焦电极层,其隔着第1绝缘体层成膜在所述电子发射层的表面,使发射出的电子聚焦;栅电极层,其隔着第2绝缘体层成膜在所述聚焦电极层的表面;发射凹部,其贯通所述栅电极层、所述第2绝缘体层、所述聚焦电极层以及所述第1绝缘体层,在所述面发射部的表面开口成凹状;碳层,其从所述栅电极层的表面一直成膜到所述发射凹部的内周面;以及部分绝缘部,其使所述聚焦电极层与所述碳层绝缘。
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