[发明专利]在多孔基底上制作纳米结构的电极有效
| 申请号： | 200980163334.8 | 申请日： | 2009-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102713015A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 尼古拉斯·吉利特;加尔德里克·锡比乌德 | 申请（专利权）人： | 原子能与替代能源委员会;沙特国王大学 |
| 主分类号： | C25D1/04 | 分类号： | C25D1/04 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 李中奎 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制作纳米线的方法和用于制作电化学装置的电极的方法。根据本发明的纳米线的制作方法包括：a）在所述基质的包括孔开口的一个表面上沉积导电材料的纳米颗粒的至少一多孔层，所述多孔层具有的孔隙率以体积计等于或大于26%，所述纳米颗粒具有的最小的尺寸至少等于所述基质中的所述孔的直径，所述纳米颗粒彼此电接触，b）在所述基质的孔中生长纳米线，以及c）去除基质。本发明尤其应用于电化学装置的领域。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 基底 制作 纳米 结构 电极 | ||
【主权项】：
一种用于制作纳米线的方法，所述方法包括在基质的通孔中生长纳米线、随后去除所述基质的步骤，其特征在于，所述方法包括以下步骤：a）在所述基质的包括孔的开口的表面中的一个表面上沉积导电材料的纳米颗粒的至少一个多孔层，所述多孔层具有的孔隙率以体积计等于或大于26%，所述纳米颗粒具有的最小尺寸至少等于所述基质中的所述孔的直径，所述纳米颗粒彼此电接触；b）在所述基质的所述孔中生长纳米线；以及c）去除所述基质。
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