[发明专利]高纯气(或电子气)中痕量气态杂质分析方法和装置无效
| 申请号： | 201010001184.5 | 申请日： | 2010-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101839878A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 尹恩华 | 申请（专利权）人： | 尹恩华 |
| 主分类号： | G01N25/68 | 分类号： | G01N25/68;G01N30/02;G01N30/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及高纯气(或电子气)中痕量气态杂质分析方法和装置。1、传统制冷方法只能测定到-60--70℃。本发明采用的浸渍制冷方法和降低镜面的降温速率，以增加“结露”的灵敏度。具有测试灵敏度高、消耗液氮低和制造的露点测试仪器成本低的特点。最低能测试到露点为-120--130℃(＜0.00013PPM)。方法适用于电子气中有害杂质水的分析。2、常规的气相色谱方法所用的检测器，其分析灵敏度一般只有几十PPM-0.1PPM。本发明采用的浓缩取样方法于气相色谱分析中，对信息技术领域的硅烷等电子气中有害杂质氧、碳等化合物进行分析。一般测试的灵敏度达到0.1-0.0001PPM。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 电子 痕量 气态 杂质 分析 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种与传统制冷方法不同的测试高纯气体中痕量水的露点分析方法。其特征在于用液氮浸渍，冷却传冷捧，最终使镜面冷却的制冷方法。
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