[发明专利]具有埋入式栅极的半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201010001269.3 | 申请日： | 2010-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102097375A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 金永得 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/768;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造具有埋入式栅极的半导体器件的方法。在单元区域中形成位线触点(27)之前，首先在外围区中形成栅极导电层(21)，从而简化制造工序并且不会遇到由单元区域与核心/外围区域之间的阶高造成的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 埋入 栅极 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造具有埋入式栅极的半导体器件的方法，包括：在单元区域中形成埋入式栅极(18)；在外围区和所述单元区域中形成栅极导电层(21)；使用单元区域敞开掩模移除所述单元区域中的所述栅极导电层(21)；在所述栅极导电层被移除的所述单元区域中形成位线触点(27)；在所述单元区域和所述外围区中形成位线导电层(28)；以及通过将所述位线导电层(28)图案化而在所述单元区域中形成位线(31)，并通过将所述栅极导电层(21)图案化而在所述外围区中形成栅极(32)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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