[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201010001460.8 | 申请日： | 2006-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN101783304A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 池田靖;中村真人;松吉聪;佐佐木康二;平光真二 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;B23K35/26 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;郑雪娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有半导体元件、与所述半导体元件连接的被连接材料的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下工序：在所述半导体元件和表面形成有Ni层的所述被连接材料之间配置包含Cu6Sn5相的Sn-(3～7)Cu钎料的工序；加热所述Sn-(3～7)Cu钎料，使Cu6Sn5化合物析出，由所述析出的Cu6Sn5化合物覆盖所述Ni层的至少一部分的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，是具有半导体元件、与所述半导体元件连接的被连接材料的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下工序：在所述半导体元件和表面形成有Ni层的所述被连接材料之间配置包含Cu6Sn5相的Sn-(3～7)Cu钎料的工序，加热所述Sn-(3～7)Cu钎料，使Cu6Sn5化合物析出，由所述析出的Cu6Sn5化合物覆盖所述Ni层的至少一部分的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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