[发明专利]相变存储器

摘要

本发明为一种相变存储器，包括一基底、多个下电极、多个上电极、多个相变化材料层以及多个防止热干扰部。下电极是设置于基底中，上电极则是设置于基底上。而相变化材料层是位于上、下电极之间，且每一相变化材料层是与下电极其中之一与上电极其中之一导通。至于防止热干扰部是用以降低热干扰对相变存储器所造成的影响。

主权项

一种相变存储器，其特征在于，包括：一基底；多个上电极，沿一方向平行设置于该基底上；多个下电极，设置于该多个上电极下方的该基底中；多个相变化材料层，沿该方向平行设置于该多个上电极与该多个下电极之间，且每一相变化材料层与该多个上电极其中之一及其底下的该多个下电极导通；以及多个防止热干扰部，设置在该多个上电极底下的该多个下电极之间。