[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201010002358.X 申请日: 2010-01-11
公开(公告)号: CN101794809A 公开(公告)日: 2010-08-04
发明(设计)人: 朴镇成;牟然坤;郑现中;郑在景;金民圭;安泰琼 申请(专利权)人: 三星移动显示器株式会社
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L29/786;H01L29/38
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 罗正云;宋志强
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明公开一种有机发光显示装置及其制造方法。所述有机发光显示装置包括具有以第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层被堆叠的结构形成的有源层的驱动单元的薄膜晶体管、具有由所述第二氧化物半导体层形成的有源层的像素单元的薄膜晶体管、以及被连接至所述像素单元的薄膜晶体管的有机发光二极管。所述驱动单元的薄膜晶体管具有在所述第一氧化物半导体层上形成的沟道,以具有高电荷迁移率,其中所述第一氧化物半导体层具有比所述第二氧化物半导体层高的载流子浓度,并且所述像素单元的薄膜晶体管具有在所述第二氧化物半导体层上形成的沟道,以具有稳定和均匀的功能特性。
搜索关键词: 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种有机发光显示装置,包括:基板,包括第一区域和第二区域;第一薄膜晶体管,包括在被布置于所述基板上的所述第一区域中形成的栅电极、通过栅绝缘层与所述栅电极绝缘的并且以第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层被顺次堆叠的结构形成的有源层、以及被电和物理地连接至所述有源层的源电极和漏电极,其中所述第一氧化物半导体层的载流子浓度比所述第二氧化物半导体层的载流子浓度高;第二薄膜晶体管,包括在被布置于所述基板上的所述第二区域中形成的栅电极、通过栅绝缘层与所述栅电极绝缘的并且由所述第二氧化物半导体层形成的有源层、以及被电和物理地连接至所述有源层的源电极和漏电极;绝缘层,被形成在所述第二薄膜晶体管上,并且具有通孔以便所述第二薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极中的一个被暴露;以及有机发光二极管,包括在被布置于所述第二区域中的所述绝缘层上形成的第一电极、在所述第一电极上形成的有机发光层、以及在所述有机发光层上形成的第二电极,其中所述第一电极通过所述通孔被电连接至所述第二薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极中的一个。
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