[发明专利]圆片级封装结构及其封装方法有效

专利信息
申请号: 201010003023.X 申请日: 2010-01-01
公开(公告)号: CN101771014A 公开(公告)日: 2010-07-07
发明(设计)人: 王新潮;梁志忠 申请(专利权)人: 江苏长电科技股份有限公司
主分类号: H01L23/482 分类号: H01L23/482;H01L23/488;H01L21/50
代理公司: 江阴市同盛专利事务所 32210 代理人: 唐纫兰
地址: 214434 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种圆片级封装结构及其封装方法,包括圆片(5),所述圆片(5)包括金属层压区(1),其特征在于在所述圆片(5)的金属层压区(1)的位置植入有下层导电金属物质(2),在所述圆片(5)和下层导电金属物质(2)上涂布含或不含填充物质的粘结物质(3),在所述含或不含填充物质的粘结物质(3)中的下层导电金属物质(2)之上方开有孔(6),在所述含或不含填充物质的粘结物质(3)的开孔处植入有上层可熔接的金属物质(4),该上层可熔接的金属物质(4)与所述下层导电金属物质(2)相互稼接。本发明圆片级封装结构及其封装方法成本更低、生产工艺流程更短以及生产品质更高。
搜索关键词: 圆片级 封装 结构 及其 方法
【主权项】:
一种圆片级封装结构,包括圆片(5),所述圆片(5)包括金属层压区(1),其特征在于在所述圆片(5)的金属层压区(1)的位置植入有下层导电金属物质(2),在所述圆片(5)和下层导电金属物质(2)上涂布含或不含填充物质的粘结物质(3),在所述含或不含填充物质的粘结物质(3)中的下层导电金属物质(2)之上方开有孔(6),在所述含或不含填充物质的粘结物质(3)的开孔处植入有上层可熔接的金属物质(4),该上层可熔接的金属物质(4)与所述下层导电金属物质(2)相互稼接。
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