[发明专利]集成电路元件的制造方法有效
| 申请号： | 201010003773.7 | 申请日： | 2010-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102034758A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 叶明熙;欧阳晖;李达元;许光源;陶宏远;于雄飞 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供集成电路元件的制造方法，在一实施例中，此方法包括提供基底，于基底之上形成包含第一伪栅极的栅极结构，从栅极结构移除第一伪栅极形成沟槽，形成界面层、高介电常数介电层与覆盖层，部分地填充沟槽，于覆盖层之上形成第二伪栅极，其中第二伪栅极填充沟槽，以及以金属栅极置换第二伪栅极。在一实施例中，此方法包括提供基底，在基底之上形成界面层，在界面层之上形成高介电常数介电层，在高介电常数介电层之上形成蚀刻停止层，在蚀刻停止层之上形成包含低热预算硅层的覆盖层，在覆盖层之上形成伪栅极层，形成栅极结构，以及进行栅极置换工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路元件的制造方法，包括：提供一基底；于该基底之上形成一栅极结构，包含一第一伪栅极；从该栅极结构移除该第一伪栅极，形成一沟槽；形成一界面层、一高介电常数介电层与一覆盖层，部分地填充在该沟槽内；形成一第二伪栅极于该覆盖层之上，其中该第二伪栅极填充该沟槽；以及以一金属栅极置换该第二伪栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010003773.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高压回路检测系统
- 下一篇：直接空冷结构桁架
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
