[发明专利]一种深沟槽功率MOS器件及其制造方法

摘要

一种深沟槽功率MOS器件及其制造方法，保护环采用接触孔结构，在接触孔刻蚀完以后，进行接触孔的第二导电类型杂质离子注入以及快速热退火，形成第二导电类型掺杂区，使保护环的接触孔位于第一导电类型外延层上方的第二导电类型掺杂区内，保护环的接触孔内填充有浮置的金属连线。在第一主面淀积一层氮化硅层，通过普遍刻蚀的方式在单胞阵列与截止环之间区域的上方的场氧化硅层两侧形成侧壁保护结构，侧壁保护结构和场氧化硅层一起作为第一导电类型杂质离子和第二导电类型杂质离子自对准注入的阻挡层。本发明可以有效分散主结处的电场强度，提高主结处的耐压能力，防止漏电问题。

主权项

一种深沟槽功率MOS器件，中心区是并联的单胞阵列，所述单胞阵列的外围设有终端保护结构，所述终端保护结构由位于内圈的至少一个保护环和位于外圈的一个截止环组成；所述截止环采用沟槽结构，沟槽位于第二导电类型掺杂区，其深度伸入第二导电类型掺杂区下方的第一导电类型外延层，沟槽壁表面生长有绝缘栅氧化层，沟槽内淀积有导电多晶硅，沟槽顶部设有金属连线，沟槽外侧由第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区构成，其中，第一导电类型掺杂区位于第二导电类型掺杂区的上部，所述金属连线通过接触孔将沟槽内的导电多晶硅与沟槽外侧的第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂层区连接成等电位，其特征在于：所述保护环采用接触孔结构，保护环的接触孔与单胞的接触孔为同一制造层，其位于第一导电类型外延层上方的第二导电类型掺杂区内，保护环的接触孔内填充有浮置的金属连线；所述截止环和单胞阵列的第二导电类型掺杂区为同一制造层；截止环和单胞阵列的第一导电类型掺杂区为同一制造层；场氧化硅层位于单胞阵列与截止环之间区域的上方，场氧化硅层是封闭的环状结构，其两侧有一层侧壁保护结构，该侧壁保护结构和场氧化硅层一起作为第一导电类型杂质离子和第二导电类型杂质离子自对准注入的阻挡层；对于N型深沟槽功率MOS器件，所述第一导电类型是N型，第二导电类型是P型；对于P型深沟槽功率MOS器件，所述第一导电类型是P型，第二导电类型是N型。