[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201010004651.X | 申请日： | 2010-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102024759A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 麦西亚斯·派斯雷克 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336;H01L21/205;H01L27/088;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括：在一硅基底上定义一掩模，该掩模包括多个穿过其中的纳米尺寸开口；在定义该掩模之后，在该硅基底穿过所述多个掩模开口而露出的表面部分建造实质上无缺陷的非硅半导体纳米岛；在建造所述多个纳米岛之后，在所述多个纳米岛上沉积高介电常数栅极电介质；以及在沉积该高介电常数栅极电介质之后，在所述多个纳米岛上架构晶体管。本发明的结构有益于热能的移除并有良好的平坦度，且相容于目前22纳米节点或低于22纳米节点的CMOS制造需求。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在一硅基底上定义一掩模，该掩模包括多个穿过其中的纳米尺寸开口；在定义该掩模之后，在该硅基底穿过所述多个掩模开口而露出的表面部分建造实质上无缺陷的非硅半导体纳米岛；在建造所述多个纳米岛之后，在所述多个纳米岛上沉积高介电常数栅极电介质；以及在沉积该高介电常数栅极电介质之后，在所述多个纳米岛上架构晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
