[发明专利]一种太阳能级多晶硅的制备方法及装置无效
申请号: | 201010010059.0 | 申请日: | 2010-01-08 |
公开(公告)号: | CN101759187A | 公开(公告)日: | 2010-06-30 |
发明(设计)人: | 张廷安;李景江;李瑞冰;豆志河;吕国志 | 申请(专利权)人: | 沈阳金博新技术产业有限公司;东北大学 |
主分类号: | C01B33/033 | 分类号: | C01B33/033;C30B29/06 |
代理公司: | 沈阳东大专利代理有限公司 21109 | 代理人: | 梁焱 |
地址: | 110044 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种太阳能级多晶硅的制备方法及装置,装置由反应器和捕集器两部分组成,反应器由还原剂储备室和反应室两部分组成,捕集器由一级捕集器和二级捕集器构成。控制液态锌和7N级四氯化硅气体在650~900℃反应;产物被带入捕集器,将收集得到的多晶硅真空蒸馏、定向凝固得到6N级太阳能多晶硅;废气中SiCl4返回利用,ZnCl2蒸馏提纯后进行电解得到Zn和氯气返回利用。本发明方法主要原料是西门子法废弃的四氯化硅或冶金级四氯化硅经过蒸馏提纯得到的7N级的四氯化硅,生产成本低,同时解决了西门子法的污染问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳 能级 多晶 制备 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种太阳能级多晶硅的制备装置,其特征在于由反应器和捕集器两部分组成,反应器由还原剂储备室和反应室两部分组成,还原剂储罐置于还原剂储备室中,还原剂储备室上部安装有还原剂液体入口,反应室内设置有反应喷嘴,反应喷嘴与还原剂储罐通过导管连通,SiCl4进气管伸入到反应喷嘴内,SiCl4辅助进气管与反应室连通,反应室设置有物料出口,反应室物料出口通过导管与捕集器物料入口连通,捕集器由一级捕集器和二级捕集器构成,每级捕集器均在上部设置有废气出口,在侧壁上端设置有物料入口,下部设置锁气阀和多晶硅出口,捕集器的筒体内衬一层防腐耐高温涂层,一级捕集器的废气出口与二级捕集器的物料入口相连。
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