[发明专利]一种正交结构氧化锡单晶薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201010011442.8 | 申请日： | 2010-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN101736399A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 马瑾;孔令沂;栾彩娜 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/16;H01L51/40 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 赵会祥 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种正交结构氧化锡单晶薄膜的制备方法，属于半导体光电子材料技术领域。一种正交结构的氧化锡单晶薄膜的外延制备方法，采用有机金属化学气相淀积(MOCVD)工艺，以四乙基锡[Sn(C2H5)4]为有机金属源，用氮气作为载气，用氧气作为氧化气体，用MOCVD设备在掺钇氧化锆单晶衬底上外延生长具有正交结构的氧化锡单晶薄膜。本发明所制备的材料光电性能优良，稳定性高，附着性能好，应用前景广阔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 正交 结构 氧化 锡单晶 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种新型的正交结构氧化锡单晶薄膜的外延制备方法，采用有机金属化学气相沉积工艺，以四乙基锡[Sn(C2H5)4]为有机金属源，用氮气作为载气，用氧气作为氧化气体，用MOCVD设备在掺钇氧化锆单晶衬底上外延生长氧化锡单晶薄膜；其工艺条件如下：反应室压强 5-200Torr，生长温度 400-800℃背景N2流量 80-500sccm有机金属源温度 5-35℃有机金属源载气流量 5-60sccm氧气流量 10-100sccm氧化锡薄膜的外延生长速率为 0.5～1.5nm/min。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东大学，未经山东大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010011442.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种粉末冶金制品清洗机的传输机构
- 下一篇：一种隔音棉用部件检查清理设备
