[发明专利]一种密度可控氧化锌纳米线阵列的激光烧蚀生长方法无效
| 申请号： | 201010011602.9 | 申请日： | 2010-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN102115339A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 曹丙强;段广彬;郑少华;胡夕伦 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | C04B41/50 | 分类号： | C04B41/50;B82B3/00 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 辛向东 |
| 地址： | 250022 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氧化锌纳米线材料的高压激光烧蚀制备方法，尤其是实现了对纳米线阵列生长密度的大范围调控。通过引入氧化锌缓冲层和调节靶材与衬底之间的距离来实现氧化锌纳米线阵列生长密度的大范围调控。通过高压脉冲激光烧蚀技术，不仅实现了高密度氧化锌纳米线阵列的生长，并且利用缓冲层技术实现了低密度氧化锌纳米线的生长，进而通过调节靶材和衬底之间的距离，实现了氧化锌纳米线生长密度的大范围调控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 密度 可控 氧化锌 纳米 阵列 激光 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种密度可控氧化锌纳米线阵列的制备方法，其特征在于：在纯蓝宝石衬底上，通过高压脉冲激光烧蚀方法，生长氧化锌纳米线阵列。
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