[发明专利]一种场板结构的氮化镓基肖特基二极管无效
| 申请号： | 201010017259.9 | 申请日： | 2010-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN101752430A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 陆海;石宏彪;修向前;陈鹏;张荣;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种场板结构的氮化镓基肖特基二极管，肖特基金属电极外围有一层绝缘介质薄膜，将肖特基金属电极延伸到绝缘介质薄膜上方并部分覆盖介质薄膜，即在肖特基电极外围形成一圈金属-绝缘介质层-半导体(MIS)场板结构，所述的场板结构的绝缘介质层包含至少一层具有高介电常数的绝缘材料，其厚度介于0.01-2微米之间，介电常数大于6。欧姆接触层、GaN有源层、绝缘介质场板，肖特基金属电极和欧姆接触电极。使用本发明所述设计的具有高介电常数材料场板的GaN肖特基二极管整流器件，比传统结构器件有着更均匀的电场分布和更大的反向击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 板结 氮化 镓基肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种场板结构的氮化镓基肖特基二极管，其特征在于肖特基二极管的场板结构为，肖特基金属电极外围有一层绝缘介质薄膜，将肖特基金属电极延伸到绝缘介质薄膜上方并部分覆盖介质薄膜，即在肖特基电极外围形成一圈金属-绝缘介质层-半导体(MIS)场板结构，所述的场板结构的绝缘介质层包含至少一层具有高介电常数的绝缘材料，其厚度介于0.01-2微米之间，介电常数大于6。
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