[发明专利]一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜及调控其应变的方法有效
| 申请号： | 201010022077.0 | 申请日： | 2010-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN101789260A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 周益春;杨锋 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人： | 颜勇 |
| 地址： | 411105 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜及调控应变的方法，主要应用于铁电存储器技术领域。即首先准备硅衬底或覆有绝缘层的硅衬底；然后在衬底上覆盖一层具有合理晶格常数的钛酸锶钡(BST)合金层(晶格常数范围在3.905～4.0 angstrom)；其次在合金层上外延生长铁电(FE)薄膜(AB03钙钛矿铁电、铋层状铁电或多重铁电氧化物)；最后形成BST/FE(10-30nm)/BST(10-30nm)/FE(10-30nm)…/BST多层膜结构。该结构实现了对外延铁电薄膜的应变调控作用；底层钛酸锶钡合金层生长在硅衬底或者覆有一层约5～20nm绝缘层(如HfO2)的硅衬底上；最终完成铁电薄膜存储器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 器用 外延 应变 薄膜 调控 方法 | ||
【主权项】：
一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜，其特征在于，为多层膜结构，在铁电存储器硅衬底或者覆有一层绝缘层的硅衬底上为松弛的底层BaxSr1-xTiO3合金膜层，0＜x＜1；所述的合金膜层上沉积有铁电薄膜层；合金膜层与铁电薄膜层依次交替沉积成膜。
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