[发明专利]一种降低相变存储器单元操作功耗的方法无效
| 申请号： | 201010022441.3 | 申请日： | 2010-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN102117882A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 翟继卫;尚飞 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种降低相变存储器单元操作功耗的方法，包括如下步骤：(1)在SiO2/Si基片上涂覆BaTiO3或SrTiO3电介质薄膜；(2)将步骤(1)中制备的涂覆有电介质薄膜的SiO2/Si基片退火处理，制得具有缓冲层的SiO2/Si基片；(3)在步骤(2)中制备的具有缓冲层的SiO2/Si基片上，涂覆GST相变材料，并封装成相变存储器器件。本发明利用具有钙钛矿结构的电介质材料作为缓冲层，能有效降低相变存储器单元操作电压，从而降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 相变 存储器 单元 操作 功耗 方法 | ||
【主权项】：
一种降低相变存储器单元操作功耗的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在SiO2/Si基片上涂覆BaTiO3或SrTiO3电介质薄膜；(2)将步骤(1)中制备的涂覆有电介质薄膜的SiO2/Si基片退火处理，制得具有缓冲层的SiO2/Si基片；(3)在步骤(2)中制备的具有缓冲层的SiO2/Si基片上，涂覆GST相变材料，并封装成相变存储器器件。
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