[发明专利]一种氧氮氧多晶硅层间介质湿法刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种氧氮氧多晶硅层间介质湿法刻蚀方法，该方法包括：首先在晶圆器件面依次沉积氧化层和多晶硅层后光刻和刻蚀形成浮栅氧化层和浮栅，其次沉积多晶硅层间介质和控制栅多晶硅层并光刻和干法刻蚀形成控制栅侧壁和多晶硅层间介质的上氧化层侧壁，再次在晶圆器件面、控制栅多晶硅层、控制栅侧壁、多晶硅层间介质的上氧化层侧壁和氮化层沉积氮化硅层，最后湿法刻蚀所述氮化硅层，在控制栅侧壁和多晶硅层间介质的上氧化层侧壁上形成氮化硅侧墙。本发明提供的方法能够避免磷酸湿法刻蚀氮化层和氮氧化硅时，对EEPROM的存储单元区的控制栅下方的氮化层造成严重侵蚀，导致器件可靠性故障。

主权项

一种氧氮氧多晶硅层间介质湿法刻蚀方法，该方法包括：晶圆器件面依次沉积氧化层和多晶硅层；依次刻蚀多晶硅层和氧化层，形成浮栅和浮栅氧化层；在所述晶圆的器件面和浮栅依次沉积氧氮氧多晶硅层间介质和控制栅多晶硅层，其中氧氮氧多晶硅层间介质包括上氧化层，氮化层和下氧化层三部分；干法刻蚀控制栅多晶硅层和氧氮氧多晶硅层间介质的上氧化层，形成控制栅，露出上氧化层侧壁和部分氮化层；在所述晶圆器件面、控制栅、上氧化层侧壁和部分氮化层上沉积氮化硅层；湿法刻蚀所述氮化硅层，在控制栅侧壁和上氧化层侧壁上形成氮化硅侧墙；湿法刻蚀氮化层及刻蚀下氧化层。