[发明专利]一种相变存储器的模拟方法有效
| 申请号： | 201010022539.9 | 申请日： | 2010-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN101763452A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 龚岳峰;宋志棠;凌云;刘燕;李宜瑾 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍;余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种相变存储器的模拟方法，包括以下步骤：A.根据工艺要求建立相变存储单元的几何模型；B.当相变存储单元负载电流时，相变材料的电导率设定为等效熔融态电导率为1041/Ωm量级的固定值；当负载电压时，相变材料的电导率设定为等效晶态电导率，通过 |
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| 搜索关键词： | 一种 相变 存储器 模拟 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器的模拟方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：A根据工艺要求建立相变存储单元的几何模型，使该几何模型的尺寸和实际工艺尺寸一致；B设定相变存储单元中相变材料的等效电导率：当相变存储单元负载电流时，相变材料的等效电导率为等效熔融态电导率，所述等效熔融态电导率设定为1041/Ωm量级的固定值；当相变存储单元负载电压时，相变材料的等效电导率为等效晶态电导率，所述等效晶态电导率通过 R = 1 σS 计算而得，式中R为基准电阻，1为相变材料的厚度，S为相变材料的横截面积，σ为所述的等效晶态电导率，其中基准电阻为200～300Ω；C在有限元分析软件平台中，按照相变存储单元的几何模型，将步骤B中设定的等效电导率作为相变材料的电导率，利用有限元计算法根据电热耦合方程计算出相变存储单元负载不同电流或电压下的电势分布和温度分布；D通过步骤C计算出的温度分布，得到相变材料的熔融区域，计算出相变存储单元在负载电流或者电压后常温下的电阻值，从而得到RI关系曲线或RV关系曲线。
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