[发明专利]低k值介电材料沉积设备部件的清洗装置及清洗方法无效
| 申请号： | 201010022573.6 | 申请日： | 2010-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN102122605A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 李景伦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B08B7/04;B08B7/00;B08B5/02;B08B3/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种低k值介电材料沉积设备部件清洗装置及清洗方法，其中低k值介电材料沉积设备部件清洗方法包括：提供多次沉积低k值介电材料后的低k值介电材料沉积设备部件；采用上述的清洗装置对所述低k值介电材料沉积设备部件加热并采用紫外光线处理；对所述低k值介电材料沉积设备部件采用稀释的氢氟酸清洗；对所述低k值介电材料沉积设备部件采用去离子水清洗；烘干所述低k值介电材料沉积设备部件。本发明能够完全去除低k值介电材料的堆积，并且对沉积低介电材料设备的有降低成本及环保再利用效果。 | ||
| 搜索关键词： | 值介电 材料 沉积 设备 部件 清洗 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种低k值介电材料沉积设备部件的清洗装置，其特征在于，包括：柜体；设于柜体内的进气口；设于柜体内的出气口；设于柜体内的支架；设于柜体内紫外光线发射装置；设于柜体内或柜体外的加温装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
