[发明专利]集成有原子层沉积工艺的化学气相沉积方法及设备无效
申请号: | 201010022588.2 | 申请日: | 2010-01-08 |
公开(公告)号: | CN102121096A | 公开(公告)日: | 2011-07-13 |
发明(设计)人: | 甘志银;王亮;朱海科 | 申请(专利权)人: | 甘志银 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;C23C16/455 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人: | 李平 |
地址: | 430074 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 集成原子层沉积技术的金属有机物化学气相沉积方法及设备,在金属有机物化学气相沉积过程中,通过脉冲喷射的方式引入化学反应气源,化学反应源气体和载气分别通过交替开关的气动阀,以脉冲方式喷射到衬底生长表面。至少包含一次生长循环,步骤为:1.化学反应源气体通过气动阀进行常规化学气相沉积工艺;2.化学反应源气体和载气经交替开启和关闭的气动阀对衬底脉冲喷射,原子层沉积生长;3.判断沉积生长是否完成,未完成进入下一轮沉积循环。本发明的优点是克服现有的金属有机物化学气相沉积方法无法精确控制纳米级膜厚及组分等缺点,突破原子层沉积工艺中生长速度低的限制,实现现有金属有机物化学气相沉积设备无法达到超陡峭薄膜界面结构。 | ||
搜索关键词: | 集成 原子 沉积 工艺 化学 方法 设备 | ||
【主权项】:
一种集成有原子层沉积工艺的金属有机物化学气相沉积方法,其特征在于:在金属有机物化学气相沉积工艺过程中,通过脉冲喷射流量的方式引入化学反应源气体物质,该方法至少包含一次下述循环,所述循环包括下述步骤:1)化学反应源气体经气动阀进入反应腔对衬底进行金属有机物化学气相沉积外延生长,此时载气经另一组常开气动阀与尾气管路连接;2)化学反应源气体和载气经交替开启和关闭的气动阀对衬底进行脉冲喷射,进行原子层沉积生长;3)判断沉积生长是否完成,未完成进入下一轮沉积循环。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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