[发明专利]浅沟槽隔离结构制作方法有效
| 申请号： | 201010022702.1 | 申请日： | 2010-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102130036A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 胡亚兰;刘佳磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种浅沟槽隔离结构制作方法，首先提供已形成硅衬底的晶片，在所述硅衬底的正反面分别形成第一氧化层和第二氧化层，在所述第一氧化层和第二氧化层上分别形成第一保护层和第二保护层；干法刻蚀第一保护层，第一氧化层和硅衬底；在所述第一保护层和出露的硅衬底上淀积第三氧化层；第一次湿法刻蚀去除部分第二保护层；平坦化第三氧化层至出露第一保护层；第二次湿法刻蚀去除第一保护层和第二保护层，形成浅沟槽隔离结构。通过二次湿法刻蚀去除第一保护层和第二保护层，保证了同步彻底去除第一保护层和第二保护层时，避免了在现有技术中刻蚀第一保护层过程中出现过度刻蚀现象，破坏浅沟槽隔离结构和硅衬底而影响半导体器件的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离结构制作方法，首先提供已形成硅衬底的晶片，在所述硅衬底的正反面分别形成第一氧化层和第二氧化层，在所述第一氧化层和第二氧化层上分别形成第一保护层和第二保护层；干法刻蚀第一保护层，第一氧化层和硅衬底；在所述第一保护层和出露的硅衬底上淀积第三氧化层；第一次湿法刻蚀去除部分第二保护层；平坦化第三氧化层至出露第一保护层；第二次湿法刻蚀去除第一保护层和第二保护层，形成浅沟槽隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
