[发明专利]带工艺和电流补偿的读出放大器有效
| 申请号： | 201010022712.5 | 申请日： | 2010-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN101777374A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种带工艺和电流补偿的读出放大器，其通过在第二差分放大管源极与存储单元电流传递电路栅极增加一对访问存储单元形成的电流信号进行镜像的镜像电路，以及在第一差分放大管源极和第二差分放大管源极之间增加一第七NMOS管，以使当存储单元电流信号较大时，第三NMOS管的栅源电压增大，而在存储单元电流信号较小时，第三NMOS管的栅源电压减小，达到了减小位线电压差异的目的，提高了读出放大器的性能和存储器的访问速度。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 电流 补偿 读出 放大器 | ||
【主权项】：
一种带工艺和电流补偿的读出放大器，用于将存储单元的信息传递到位线并输出，其包含：差分放大电路，连接于一基准电压，包括并联的第一差分放大管和第二差分放大管以及作为该第一差分放大管负载的第一负载、作为该第二差分放大管负载的第二负载；镜像电路，与该差分放大电路连接，用于对访问存储单元形成的电流信号进行镜像；控制逻辑电路，用于控制存储单元的访问，包括多个串联的MOS管，其一端连接存储单元，另一端连接钳位电路，每个MOS管的栅极均连接控制信号；钳位电路，用于将位线电压进行钳位，该钳位电路与该差分放大电路及该控制逻辑电路相连接；存储单元电流传递电路，与该钳位电路及该镜像电路连接，与该镜像电路共同将访问存储单元形成的电流信号镜像到放大比较电路；放大比较电路，接收该电流信号并进行放大输出至输出电路；以及输出电路，至少包括一输出放大缓冲器，用于将该电流信号放大输出。
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