[发明专利]一种辅助图案填充方法和装置有效
| 申请号： | 201010022887.6 | 申请日： | 2010-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN102129169A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 卑多慧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种辅助图案填充方法和装置，其中，所述方法包括：根据预置参数将制作芯片的掩模板设计版图划分为多个区块；确定为每个区块填充的辅助图案密度和间隙值；所述间隙值为辅助图案与有效图案之间的间隔距离；使用所述间隙值和辅助图案密度对应的辅助图案单元填充各个区块中的空白区域；所述辅助图案由至少一个辅助图案单元平铺排列形成。通过将掩模板划分为多个区块，根据每个区块原始图案的分布密度和特征确定需填充的辅助图案密度和间隙值，以及使用可变的间隙值对每个区块的图案密度进行细微调节，使区块最后的图案密度尽可能接近预设密度值，使CMP后中间膜层的上表面形貌起伏得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辅助 图案 填充 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种辅助图案填充方法，其特征在于，包括：根据预置参数将制作芯片的掩模板设计版图划分为多个区块；确定为每个区块填充的辅助图案密度和间隙值；所述间隙值为辅助图案与有效图案之间的间隔距离；使用所述间隙值和辅助图案密度对应的辅助图案单元填充各个区块中的空白区域；所述辅助图案由至少一个辅助图案单元平铺排列形成。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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