[发明专利]双轴MEMS陀螺仪的制造方法有效
| 申请号： | 201010023046.7 | 申请日： | 2010-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN102134053A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 邹波;华亚平 | 申请（专利权）人： | 深迪半导体(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00;G01P9/04;B81B7/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市张江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 双轴MEMS陀螺仪的制造方法包括七个步骤：提供一个底部晶圆，通过光刻和进行各向异性腐蚀后形成底部空腔；在底部晶圆上淀积第一层金属，对第一层金属进行光刻和刻蚀工艺后形成第一层金属下电极和连线；在底部晶圆的第二层氧化硅上淀积第二层金属，对第二层金属进行光刻和刻蚀工艺后形成第二层金属密封环和导电块；提供一个顶部晶圆，通过干法工艺或湿法工艺在顶部晶圆上形成顶部空腔；提供一个MEMS晶圆，通过熔化键合工艺将MEMS晶圆与顶部晶圆键合在一起；利用化学机械抛光工艺将第一组合晶圆中的MEMS晶圆的厚度减小至设计要求的厚度；采用共晶键合的方法将第二组合晶圆与底部晶圆键合在一起。该双轴陀螺仪的面积小且成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 双轴 mems 陀螺仪 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种双轴MEMS陀螺仪的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤一、提供一个底部晶圆，通过化学气相淀积工艺在底部晶圆上淀积氮化硅，通过光刻和进行各向异性腐蚀后形成底部空腔，在底部空腔上淀积第一层氧化硅；步骤二、在底部晶圆上淀积第一层金属，对第一层金属进行光刻和刻蚀工艺后形成第一层金属下电极和第一层金属连线，通过化学气相淀积工艺淀积第二层氧化硅，通过光刻和刻蚀工艺后形成第一层金属和第二层金属之间的通孔；步骤三、在底部晶圆的第二层氧化硅上淀积第二层金属，对第二层金属进行光刻和刻蚀工艺后形成第二层金属密封环和第二层金属导电块，然后对第二层氧化硅进行光刻和刻蚀工艺后使第一层金属下电极暴露出来；步骤四、提供一个顶部晶圆，通过干法工艺或湿法工艺在顶部晶圆上形成顶部空腔，通过化学气相淀积工艺在顶部空腔上淀积第三层氧化硅；步骤五、提供一个MEMS晶圆，通过熔化键合工艺将MEMS晶圆与顶部晶圆键合在一起，形成硅和氧化硅之间的熔化键合面并形成硅与氧化硅之间的熔化键合面，MEMS晶圆与顶部晶圆形成了第一组合晶圆；步骤六、利用化学机械抛光工艺将第一组合晶圆中的MEMS晶圆的厚度减小至设计要求的厚度，再进行光刻后用干法工艺刻蚀出MEMS结构，厚度减小后的MEMS晶圆与底部晶圆形成了第二组合晶圆；步骤七、采用共晶键合的方法将第二组合晶圆与底部晶圆键合在一起，同时形成第二层金属密封环、第二层金属导电块与MEMS晶圆的共晶键合面，这样就完成双轴MEMS陀螺仪的制造。
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