[发明专利]一种半导体存储器结构及其控制方法

摘要

本发明属于半导体非挥发性存储器技术领域，具体公开了一种半导体存储器结构及其控制方法。该半导体存储器包括至少一个半导体衬底、一个用于对半导体存储器进行控制的隧穿晶体管结构、一个用于存储信息的存储单元和一个用于连接存储单元的顶部电极，所述的隧穿晶体管结构采用自对准工艺制造，而且用来进行对所述的半导体存储器比如擦写操作和读操作的控制。由多个所述的半导体存储器可以组成一个半导体存储器阵列。本发明还公开了一种上述半导体存储器阵列的控制方法，包括复位、置位、读取步骤。

主权项

一种半导体存储器，其特征在于，所述半导体存储器包括至少一个半导体衬底、一个隧穿晶体管结构、一个存储单元和一个顶部电极；所述的存储单元由相变材料构成或者由阻变材料构成；所述的顶部电极与所述的存储单元相连；所述的存储器单元用于存储电荷并且与所述隧穿晶体管的源极或者漏极相连，所述隧穿晶体管的栅极控制通过所述存储器单元的电流；所述的顶部电极与多条位线中的任意一条相连接，所述隧穿晶体管的栅极与多条字线中的任意一条相连接，所述隧穿晶体管的源极或者漏极与多条基准电压布线中的任意一条相连接。