[发明专利]用于Bipolar-CMOS工艺中有源区光学临近修正的方法无效
| 申请号： | 201010027228.1 | 申请日： | 2010-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN102117011A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 阚欢;魏芳;陈福成 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;H01L21/8249 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于Bipolar-CMOS工艺中有源区光学临近修正的方法，所述Bipolar-CMOS工艺中，Bipolar有源区的设计尺寸远大于CMOS有源区的设计尺寸，对Bipolar有源区进行规则式光学临近修正，对CMOS有源区进行模型式光学临近修正。本发明能够节省Bipolar-CMOS工艺中有源区光学临近修正的运算时间和运行成本。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 bipolar cmos 工艺 有源 光学 临近 修正 方法 | ||
【主权项】：
一种用于Bipolar‑CMOS工艺中有源区光学临近修正的方法，所述Bipolar‑CMOS工艺中，Bipolar有源区的设计尺寸远大于CMOS有源区的设计尺寸，其特征在于：对Bipolar有源区进行规则式光学临近修正，对CMOS有源区进行模型式光学临近修正。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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