[发明专利]改善锗硅或锗硅碳单晶体与多晶体交界面形貌的方法有效
| 申请号： | 201010027232.8 | 申请日： | 2010-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN102117740A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 刘继全;季伟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/314;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善锗硅或锗硅碳单晶体与多晶体交界面形貌的方法，步骤一、在硅片表面生长一层氮化硅或氮氧化硅薄膜；步骤二、在所述氮化硅或氮氧化硅薄膜的表面涂布一层负性光刻胶，利用有源区光刻版曝光、显影，将有源区表面的氮化硅或氮氧化硅薄膜曝露出来；步骤三、去除有源区表面的氮化硅或氮氧化硅薄膜；步骤四、去除所述负性光刻胶；步骤五、利用锗硅或锗硅碳多晶在氮化硅和氮氧化硅表面的扩散成核速度，在STI或LOCOS表面形成一层均匀的锗硅或锗硅碳多晶薄膜。本发明能有效减少AA面积的损失，改善STI(或LOCOS)表面SiGe多晶粗糙度。本发明不仅仅局限于锗硅工艺，还可使用于锗硅碳工艺等。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 锗硅碳 单晶体 多晶体 界面 形貌 方法 | ||
【主权项】：
一种改善锗硅或锗硅碳单晶体与多晶体交界面形貌的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在硅片表面生长一层氮化硅或氮氧化硅薄膜；步骤二、在所述氮化硅或氮氧化硅薄膜的表面涂布一层负性光刻胶，利用有源区光刻版曝光、显影，将有源区表面的氮化硅或氮氧化硅薄膜曝露出来；步骤三、去除有源区表面的氮化硅或氮氧化硅薄膜；步骤四、去除所述负性光刻胶；步骤五、利用锗硅或锗硅碳多晶在氮化硅和氮氧化硅表面的扩散成核速度，在STI或LOCOS表面形成一层均匀的锗硅或锗硅碳多晶薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
