[发明专利]获得空气间隙沟槽的方法无效
| 申请号： | 201010027238.5 | 申请日： | 2010-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN102122631A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 肖胜安 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/764 | 分类号： | H01L21/764 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种获得空气间隙沟槽的方法，在沟槽结构形成后，包含以下步骤：步骤一、在硅片上生长氧化膜作为下面要成长的氮化膜的缓冲层，然后再在硅片上成长氮化硅膜；步骤二、生长氧化膜将沟槽填满；步骤三、进行光刻将沟槽区域打开；步骤四、利用光刻胶做掩膜，将沟槽中的部分氧化膜刻蚀掉；步骤五、将沟槽顶部侧壁的氮化膜和氧化膜刻蚀掉；步骤六、除去光刻胶，之后去除顶层氧化膜；步骤七、进行选择性外延生长在沟槽顶部生长出硅薄层；步骤八、进行热氧化将沟槽顶部的外延层全部氧化；步骤九、将顶部氮化膜和氧化膜去除。本发明可以利用简单易于实现的工艺流程，得到寄生电容更低的空气间隙沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 获得 空气 间隙 沟槽 方法 | ||
【主权项】：
一种获得空气间隙沟槽的方法，其特征在于，在沟槽结构形成后，包含以下步骤：步骤一、在硅片上生长氧化膜作为下面要成长的氮化膜的缓冲层，然后再在硅片上成长氮化硅膜；步骤二、生长氧化膜将沟槽填满；步骤三、进行光刻将沟槽区域打开；步骤四、利用光刻胶做掩膜，将沟槽中的部分氧化膜刻蚀掉；步骤五、将沟槽顶部侧壁的氮化膜和氧化膜刻蚀掉；步骤六、除去光刻胶，之后去除顶层氧化膜；步骤七、进行选择性外延生长在沟槽顶部生长出硅薄层；步骤八、进行热氧化将沟槽顶部的外延层全部氧化；步骤九、将顶部氮化膜和氧化膜去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
