[发明专利]芯片标记的制造方法有效
| 申请号： | 201010027310.4 | 申请日： | 2010-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102129961A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 徐俊杰;张雷;俞沁聪 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片标记的制造方法，包括步骤，步骤一、用光刻工艺在顶层铝上定义出标记图形和顶层金属铝连线，并刻蚀形成标记图形和顶层金属铝连线。步骤二、淀积第一层未掺杂正硅酸乙酯硅玻璃。步骤三、去除所述标记区域表面的所述第一层未掺杂正硅酸乙酯硅玻璃和氮化钛。步骤四、淀积第二层未掺杂正硅酸乙酯硅玻璃。步骤五、淀积高密度等离子体二氧化硅。本发明利用第二层未掺杂正硅酸乙酯硅玻璃来缓冲高密度等离子体二氧化硅和顶层铝之间的应力，从而消除芯片标记表面产生的气泡，提高芯片标记的质量，提高后道封装的对准能力。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 标记 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片标记的制造方法，是顶层铝淀积后并在该顶层铝上淀积了氮化钛的芯片上的特定区域制作标记，包括步骤：步骤一、用光刻工艺在顶层铝上定义出标记图形和顶层金属铝连线，并刻蚀所述标记图形和顶层金属铝连线外的顶层铝形成所述标记图形和顶层金属铝连线；步骤二、淀积第一层未掺杂正硅酸乙酯硅玻璃；步骤三、去除所述标记区域表面的所述第一层未掺杂正硅酸乙酯硅玻璃和氮化钛；步骤四、淀积第二层未掺杂正硅酸乙酯硅玻璃；步骤五、淀积高密度等离子体二氧化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
