[发明专利]沟槽型双层栅功率MOS晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201010027334.X | 申请日： | 2010-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102130006A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 金勤海;邱晴和;缪进征 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张骥 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型双层栅功率MOS晶体管的制备方法，在将沟槽内的第一层多晶硅刻蚀至预定深度之后，第二层多晶硅淀积之前，包括如下步骤：1)去除沟槽侧壁和硅平面上的氧化物；2)进行氮离子注入工艺，使氮离子注入到所述沟槽侧壁；3)而后进行热氧化工艺，使所述沟槽侧壁和所述第一层多晶硅表面生长氧化硅。侧壁因氮离子注入使得氧化层的生长速率变慢。采用本发明的方法在两层多晶硅之间形成的氧化层厚度均匀，而且比侧壁和第二层多晶硅间的栅氧化层要厚，显著提高器件的性能；同时这两个不同部位的氧化层在同一部工艺生长完成，使工艺控制变得容易。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 双层 功率 mos 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型双层栅功率MOS晶体管的制备方法，其特征在于，在将沟槽内的第一层多晶硅刻蚀至预定深度之后，第二层多晶硅淀积之前，包括如下步骤：1)去除沟槽侧壁和硅平面上的氧化物；2)进行氮离子注入工艺，使氮离子注入到所述沟槽侧壁；3)而后进行热氧化工艺，使所述沟槽侧壁和所述第一层多晶硅表面生长氧化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
