[发明专利]硅控整流器结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201010027336.9 | 申请日： | 2010-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102130155A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 苏庆;刘梅 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L23/60;H01L21/332 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅控整流器结构，在N阱之上为P型轻掺杂扩散区，P型轻掺杂扩散区之上为掺N型杂质的锗硅，掺N型杂质的锗硅之上为掺P型杂质的发射极多晶硅，所述掺N型杂质的锗硅、掺P型杂质的发射极多晶硅通过金属线相短接，所述P型轻掺杂扩散区同N阱的N型引出区通过金属线相短接；所述掺N型杂质的锗硅同所述P型轻掺杂扩散区之间形成异质结。本发明的硅控整流器结构，可以用于静电保护，且能在常规锗硅工艺中形成。本发明还公开了一种硅控整流器结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 整流器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种硅控整流器结构，在硅衬底上方形成，周围由场隔离区与其他器件隔离，其特征在于，包括N阱、P型轻掺杂扩散区、掺N型杂质的锗硅、掺P型杂质的发射极多晶硅，在N阱之上为P型轻掺杂扩散区，P型轻掺杂扩散区之上为掺N型杂质的锗硅，掺N型杂质的锗硅之上为掺P型杂质的发射极多晶硅，所述掺N型杂质的锗硅、掺P型杂质的发射极多晶硅通过金属线相短接，所述P型轻掺杂扩散区同N阱的N型引出区通过金属线相短接；所述掺N型杂质的锗硅同所述P型轻掺杂扩散区之间形成异质结。
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