[发明专利]一种高速横向SOI绝缘栅双极性晶体管无效
| 申请号： | 201010028094.5 | 申请日： | 2010-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101771073A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 方健;关旭;陈文锁;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/417;H01L29/06 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高速横向SOI绝缘栅双极性晶体管。包括埋氧层、N基区、分别位于N基区两端的阴极区和阳极区以及位于阴极区之上的栅极区，所述阳极区被隔离槽分割为至少一组第一阳极区和第二阳极区，所述隔离槽使第一阳极的P+阳极区与第二阳极的P漂移区和N+阳极区隔离，所述隔离槽向下延伸到埋氧层；所述阳极区之上还包括场氧化层和阳极场板，所述场氧化层贴附于阳极区之上，所述阳极场板贴附于场氧化层之上并与阳极区的阳极电连接。本发明的有益效果是：在提高横向SOI IGBT的关断速度的同时不增加导通电阻，提供一种高速横向SOI绝缘栅双极性晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高速 横向 soi 绝缘 极性 晶体管 | ||
【主权项】：
一种高速横向SOI绝缘栅双极性晶体管，包括埋氧层(3)、N基区(6)、分别位于N基区(6)两端的阴极区和阳极区以及位于阴极区之上的栅极区，其特征在于，所述阳极区被隔离槽(8)分割为至少一组第一阳极区和第二阳极区，所述第一阳极区包括P+阳极区(10)和阳极(11)，所述P+阳极区(10)贴附于N基区(6)之上，阳极(11)贴附于P+阳极区(10)之上；所述第二阳极区包括P漂移区(7)、N+阳极区(17)和阳极(11)，所述P漂移区(7)和N+阳极区(17)贴附于N基区(6)之上，所述P漂移区(7)的两端分别贴附于阴极区和N+阳极区(17)，阳极(11)贴附于N+阳极区(17)之上并与N基区(6)和P漂移区(7)间隔；所述隔离槽(8)使第一阳极的P+阳极区(10)与第二阳极的P漂移区(7)和N+阳极区(17)隔离，所述隔离槽(8)向下延伸到埋氧层(3)；所述阳极区之上还包括场氧化层(14)和阳极场板(16)，所述场氧化层(14)贴附于阳极区之上，所述阳极场板(16)贴附于场氧化层(14)之上并与阳极区的阳极(11)电连接。
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