[发明专利]复合纳米半导体Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的制备方法

摘要

复合纳米半导体Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的制备方法，它涉及一种Cl2敏感材料的合成方法。本发明解决了现有方法制作得到的敏感材料敏感性差，使得Cl2传感器普遍存在着功耗高，体积大，只能进行低浓度检测的问题。方法：一、原料混合得到共沉积混合物；二、离心、抽滤、干燥；三、制作In2O3/Nb2O5纳米粉体；四、制作Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt。本发明得到复合纳米半导体材料In2O3/Nb2O5/Pt对Cl2敏感性好，使用本发明制备的Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的Cl2传感器能检测Cl2的量程为0～500ppm，且功耗低，体积小。

主权项

复合纳米半导体Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的制备方法，其特征在于复合纳米半导体Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的制备方法按照以下步骤进行：一、按照18∶1的摩尔比称取InCl3·4H2O和Nb2O5，先称取的InCl3完全溶解于去离子水中得到InCl3溶液，称取的Nb2O5加入到体积浓度为18～22％的HNO3中，过滤后与InCl3溶液进行搅拌混合，再加入质量浓度为22％～28％的NaOH调节混合物的pH值至7.8～8.2，然后在48～52℃条件下搅拌4.8～5.2h，即得到共沉积混合物，其中InCl3·4H2O与去离子水的质量比为2.93∶500，Nb2O5与HNO3的质量比为1∶3；二、共沉积混合物在转速为3000～5000r/min的条件下离心20～30min，去上清液，然后用去离子水清洗离心得到的沉淀物至pH值为7，然后进行抽滤，抽滤后的沉淀物在115～125℃条件下真空干燥4～5h；三、将步骤二干燥后的产物在600℃～700℃条件下烧结2～3h，然后进行研磨，研磨时间为60～90min，即得到In2O3/Nb2O5纳米粉体；四、向In2O3/Nb2O5纳米粉体中加入重量百分比浓度为3％～5％的H2PtCl6混合，然后再加入松油醇调成浆状物，In2O3/Nb2O5纳米粉体、H2PtCl6和松油醇的质量比为100∶4∶10，浆状物经过丝网印刷、涂膜于电极上，在室温条件干燥22～26h，然后在500～700℃条件下烧结2～3h，即得到了复合纳米半导体Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt。