[发明专利]一种双通氧化钛纳米管阵列的制备方法无效
| 申请号： | 201010033725.2 | 申请日： | 2010-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN101748467A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李仕琦;张耿民 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双通氧化钛纳米管阵列的制备方法，首先在电解液中通过阳极氧化在钛片上生长出氧化钛纳米管阵列，然后将电压突然升高至90-200V保持0.5-10min，最后取出钛片进行摆洗，获得脱离钛片基底的双通氧化钛纳米管阵列。该方法通过电压跃迁使得氧化钛纳米管阵列与基底的脱离和氧化钛纳米管底部的打通同时实现，大大简化了双通氧化钛纳米管阵列的制备过程，且制备参数容易控制，氧化钛纳米管阵列底部打开的效果好，对促进氧化钛纳米管阵列在光电转换中的应用有着重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双通氧化钛纳米管阵列的制备方法，首先在电解液中通过阳极氧化在钛片上生长出氧化钛纳米管阵列，然后将电压升高至90-200V保持0.5-10min，最后取出钛片进行摆洗，获得脱离钛片基底的双通氧化钛纳米管阵列。
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