[发明专利]金属有机物化学沉积设备的反应室有效

专利信息
申请号: 201010033963.3 申请日: 2010-01-07
公开(公告)号: CN101748377A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 冉军学;王晓亮;胡国新;肖红领;殷海波;张露;李晋闽 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: C23C16/18 分类号: C23C16/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王新华
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室,包括:反应室腔体;与腔体连通的反应气及载气进气法兰;设置在腔体内用于承载半导体晶片的衬托;与腔体连通的尾气管路;对衬托进行加热的加热器;和使得衬托旋转的旋转装置,其中所述反应室还包括调距装置,所述调距装置用于调节进气法兰与衬托的相对面之间的距离。根据本发明的反应室可以实现进气法兰与晶片衬托之间的距离调节,从而提高调节反应室气场、流场模式的灵活性,改善晶体质量和半导体外延片均匀性。
搜索关键词: 金属 有机物 化学 沉积 设备 反应
【主权项】:
一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室,包括:反应室腔体;与腔体连通的反应气及载气进气法兰;设置在腔体内用于承载半导体晶片的衬托;与腔体连通的尾气管路;对衬托进行加热的加热器;和使得衬托旋转的旋转装置,其特征在于:所述反应室还包括调距装置,所述调距装置用于调节进气法兰与衬托的相对面之间的距离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010033963.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top