[发明专利]一种具有白光光伏效应的异质结薄膜材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201010034311.1 申请日: 2010-01-15
公开(公告)号: CN101777590A 公开(公告)日: 2010-07-14
发明(设计)人: 章晓中;吴利华;万蔡华 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04;H01L31/08;H01L31/0264;H01L31/18;C23C14/28;C23C14/06
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 童晓琳
地址: 100084北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了属于光学传感器和光电器件材料技术领域的一种具有白光光伏效应的异质结薄膜材料及其制备方法。本发明真空为10-4Pa量级条件下,在沉积温度:300℃~500℃下,在n-Si(100)基片上了依次沉积氧化铝层、钴层和掺杂铁的碳层,得到Fe-C/Co/Al2O3/Si异质结薄膜材料,其中,掺杂铁的碳层作为活性层,厚度为20~100纳米;氧化铝层为绝缘层,厚度为2~3纳米;钴层为过渡层,厚度为5~10纳米。所得产品在室温的白光或可见光波段下对可见光有响应,具有明显的光伏效应,在100mW/cm2的白光照射下,可产生0.15~0.30V的开路电压,或电流密度为2~4mA/cm2的短路电流。
搜索关键词: 一种 具有 白光 效应 异质结 薄膜 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种具有白光光伏效应的异质结薄膜材料,其特征在于,在n型Si基片上依次设有氧化铝层、钴层和掺杂铁的碳层,形成具有白光光伏效应的Fe-C/Co/Al2O3/Si异质结薄膜材料,其中,所述掺杂铁的碳层为p型半导体,作为活性层,所述氧化铝层为绝缘层,所述钴层为过渡层。
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