[发明专利]一种具有白光光伏效应的异质结薄膜材料及其制备方法无效
申请号: | 201010034311.1 | 申请日: | 2010-01-15 |
公开(公告)号: | CN101777590A | 公开(公告)日: | 2010-07-14 |
发明(设计)人: | 章晓中;吴利华;万蔡华 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/08;H01L31/0264;H01L31/18;C23C14/28;C23C14/06 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 童晓琳 |
地址: | 100084北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了属于光学传感器和光电器件材料技术领域的一种具有白光光伏效应的异质结薄膜材料及其制备方法。本发明真空为10-4Pa量级条件下,在沉积温度:300℃~500℃下,在n-Si(100)基片上了依次沉积氧化铝层、钴层和掺杂铁的碳层,得到Fe-C/Co/Al2O3/Si异质结薄膜材料,其中,掺杂铁的碳层作为活性层,厚度为20~100纳米;氧化铝层为绝缘层,厚度为2~3纳米;钴层为过渡层,厚度为5~10纳米。所得产品在室温的白光或可见光波段下对可见光有响应,具有明显的光伏效应,在100mW/cm2的白光照射下,可产生0.15~0.30V的开路电压,或电流密度为2~4mA/cm2的短路电流。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 白光 效应 异质结 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种具有白光光伏效应的异质结薄膜材料,其特征在于,在n型Si基片上依次设有氧化铝层、钴层和掺杂铁的碳层,形成具有白光光伏效应的Fe-C/Co/Al2O3/Si异质结薄膜材料,其中,所述掺杂铁的碳层为p型半导体,作为活性层,所述氧化铝层为绝缘层,所述钴层为过渡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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