[发明专利]一种非对称结构的剪切模式FBAR无效

专利信息
申请号: 201010039522.4 申请日: 2010-01-05
公开(公告)号: CN101800524A 公开(公告)日: 2010-08-11
发明(设计)人: 董树荣;吴梦军;曾国勇;孙光照;赵焕东;王一雷 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H03H9/17 分类号: H03H9/17;H03H9/13
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 唐柏松
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种非对称结构的剪切模式FBAR,包括硅基片、支撑层、压电层以及由宽度相同且相互平行的输入电极和输出电极组成的电极对,所述的电极对数量不小于2,所有电极对相互平行且两端分别设有与所有输入电极连接的输入电极汇流条和与所有输出电极连接的输出电极汇流条,输入电极和输出电极间隔设置;所有电极对中电极的宽度和输入电极与输出电极之间的间距沿垂直电极对的同一方向呈差异性比例递增。与现有剪切模式相比,本发明FBARR增加了电极对数量,从而提高了其容量,而且输入电极和输出电极间隔设置,形成一种插指状结构,同时电极宽度与输入电极和输出电极之间的间距非等比例增加,大大降低了寄生干扰,提高了其Q值。
搜索关键词: 一种 对称 结构 剪切 模式 fbar
【主权项】:
一种非对称结构的剪切模式FBAR,包括硅基片、支撑层、压电层以及由宽度相同且相互平行的输入电极和输出电极组成的电极对,其特征在于:所述的电极对数量不小于2,所有电极对相互平行且两端分别设有与所有输入电极连接的输入电极汇流条和与所有输出电极连接的输出电极汇流条,输入电极和输出电极间隔设置;所有电极对中电极的宽度和输入电极与输出电极之间的间距沿垂直电极对的同一方向呈差异性比例递增。
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