[发明专利]基于重掺UMG硅外延生成高低结的太阳电池及制备方法有效
申请号: | 201010040048.7 | 申请日: | 2010-01-19 |
公开(公告)号: | CN101777592A | 公开(公告)日: | 2010-07-14 |
发明(设计)人: | 杨德仁;顾鑫;余学功 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0288;H01L31/18 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人: | 郑红莉 |
地址: | 310027浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于重掺UMG硅外延生成高低结的太阳电池,包括若干电池片,电池片由下至上依次为:铝电极层;第一氮化硅层;第一二氧化硅层;重掺UMG硅层;轻掺硅外延层,该层的导电类型与重掺UMG硅层的导电类型相同;第二二氧化硅层;第二氮化硅层;若干重掺区域,该重掺区域的导电类型与重掺UMG硅层的导电类型相反;在重掺区域及第二氮化硅层的上表面设有银电极。本发明还提供了所述的电池片的制备方法。本发明利用低成本的UMG硅原料、选择重掺杂技术生长出重掺UMG硅晶体,外延生长出高质量硅薄膜制备电池片,比直接利用高质量体硅材料成本低很多,光电转换效率比直接利用轻掺UMG硅材料制备的电池片高很多。 | ||
搜索关键词: | 基于 umg 外延 生成 高低 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于重掺UMG硅外延生成高低结的太阳电池,包括若干电池片,其特征在于,所述的电池片由下至上依次为:铝电极层(1);第一氮化硅层(2);第一二氧化硅层(3);重掺UMG硅层(4),该层的导电类型是p型或n型;轻掺硅外延层(5),该层的导电类型与重掺UMG硅层(4)的导电类型相同;第二二氧化硅层(6);第二氮化硅层(7);其中在所述的轻掺硅外延层(5)中,在临近第二二氧化硅层(6)的表面部位分布有若干重掺区域(8),该重掺区域(8)的导电类型与重掺UMG硅层(4)的导电类型相反;在所述的重掺区域(8)及第二氮化硅层(7)的上表面设有银电极(9)。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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