[发明专利]一种在硅表面可控生长微纳孔结构的方法无效
| 申请号： | 201010044845.2 | 申请日： | 2010-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101759143A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 孙志军;林琦 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种在硅表面可控生长微纳孔结构的方法，涉及一种在硅表面可控生长微纳孔结构的方法。提供一种可控制所产生微纳孔的位置及其分布和大小，不需要阳极氧化所需的外电源和光照系统的在硅表面可控生长微纳孔结构的方法。准备硅衬底；在硅衬底表面形成金属纳米颗粒或岛状金属薄膜的分布；将样品浸入电解质溶液进行电化学腐蚀；将进行电化学腐蚀后的样品浸入所用金属的化学腐蚀溶液，在硅衬底表面形成微纳孔，去除微纳孔底部的金属，即在硅表面可控生长微纳孔结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 可控 生长 微纳孔 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种在硅表面可控生长微纳孔结构的方法，其特征在于包括以下步骤：1)准备硅衬底；2)在硅衬底表面形成金属纳米颗粒或岛状金属薄膜的分布；3)将样品浸入电解质溶液进行电化学腐蚀；4)将进行电化学腐蚀后的样品浸入所用金属的化学腐蚀溶液，在硅衬底表面形成微纳孔，去除微纳孔底部的金属，即在硅表面可控生长微纳孔结构。
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