[发明专利]半导体激光器元件和半导体激光器器件无效
| 申请号： | 201010100012.3 | 申请日： | 2010-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN101882755A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 今西大介 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 李晓冬;南霆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体激光器元件和半导体激光器器件，该半导体激光器元件包括：第一半导体层；具有电流注入区域的有源层；第二半导体层；第三半导体层；以及用于将电流注入所述有源层中的电极。在该半导体激光器元件中，第一半导体层、有源层、第二半导体层以及第三半导体层被依次层叠在衬底上，第一半导体层具有约束有源层的电流注入区域的电流约束层，第三半导体层形成在第二半导体层的上表面上对应于有源层的电流注入区域的区域中，电极形成在第二半导体层的上表面上除第三半导体层的区域以外的区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 元件 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器元件，包括：第一半导体层；具有电流注入区域的有源层；第二半导体层；第三半导体层；以及用于将电流注入所述有源层中的电极，其中，所述第一半导体层、所述有源层、所述第二半导体层以及所述第三半导体层被依次层叠在衬底上，所述第一半导体层具有电流约束层，所述电流约束层约束所述有源层的所述电流注入区域，所述第三半导体层形成在所述第二半导体层的上表面上对应于所述有源层的所述电流注入区域的区域中，所述电极形成在所述第二半导体层的所述上表面上除所述第三半导体层的区域以外的区域中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司，未经索尼公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010100012.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
