[发明专利]CMOS图像传感器的制作方法

摘要

一种CMOS图像传感器的制作方法，所述CMOS图像传感器包括有CMOS晶体管，形成所述CMOS晶体管的间隙壁包括：在半导体衬底及栅电极上形成间隙壁介电层，在所述间隙壁介电层上形成光刻胶层；图形化所述光刻胶层，保留光电二极管区域、与光电二极管区域相邻的MOS晶体管与光电二极管区域相邻一侧轻掺杂区上的间隙壁介电层上的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀间隙壁介电层，形成MOS晶体管的间隙壁，其中，与光电二极管区域相邻的MOS晶体管只在远离光电二极管区域的栅电极一侧形成间隙壁；同时，光电二极管区域保留的间隙壁介电层作为光电二极管区域半导体衬底的衬底保护层。

主权项

一种CMOS图像传感器的制作方法，包括：提供具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底包括光电二极管区域与外围电路区域；在所述半导体衬底上形成栅介电层；在光电二极管区域的半导体衬底中形成具有第二导电类型的重掺杂区，所述第二导电类型与第一导电类型相反，所述光电二极管区域的半导体衬底与其中的重掺杂区构成光电二极管；在外围电路区域的半导体衬底上形成MOS晶体管的栅电极；在栅电极两侧的半导体衬底中形成MOS晶体管的轻掺杂区；在MOS晶体管的栅电极两侧形成间隙壁，其特征在于，形成所述间隙壁包括：在半导体衬底及栅电极上形成间隙壁介电层，在所述间隙壁介电层上形成光刻胶层；图形化所述光刻胶层，保留光电二极管区域、与光电二极管区域相邻的MOS晶体管的与光电二极管区域相邻一侧轻掺杂区上的间隙壁介电层上的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀间隙壁介电层，形成MOS晶体管的间隙壁，其中，与光电二极管区域相邻的MOS晶体管只在远离光电二极管区域的栅电极一侧形成间隙壁；同时，光电二极管区域保留的间隙壁介电层作为光电二极管区域半导体衬底的衬底保护层。