[发明专利]半导体高压器件的结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201010100430.2 | 申请日： | 2010-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN102136495A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 刘远良;王飞;韩峰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体高压器件的结构，半导体高压器件呈左右对称的结构，靠近对称轴的位置设置有高压晶体管结构，在高压晶体管的外围设置有多个同心的环状PN结，在最外层的PN结外侧设置有与环状PN结同心的终端环沟槽，终端环沟槽内填充有氧化硅。本发明还公开了一种上述半导体高压器件的结构的制作方法，包括先在硅衬底上光刻和刻蚀形成终端环沟槽；然后在终端环沟槽内填充氧化硅，并用回刻工艺去除表面的氧化硅；然后按照功率MOS器件制造的正常工艺流程完成生产过程。本发明通过在环状PN结外围设置终端环沟槽，使得环状PN结的数量可以大大减少，只占用较小的芯片面积，并达到了更好的器件耐压性能，大大降低了器件的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 高压 器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体高压器件的结构，其特征在于，所述半导体高压器件呈左右对称的结构，靠近对称轴的位置设置有高压晶体管结构，在所述高压晶体管的外围设置有多个同心的环状PN结，在最外层的PN结外侧设置有与环状PN结同心的终端环沟槽，所述终端环沟槽内填充有氧化硅。
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