[发明专利]一种流动层析结晶法制备高纯磷酸的方法有效
| 申请号： | 201010100473.0 | 申请日： | 2010-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN101759167A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 梁雪松;梅毅;杨亚斌;肖勇;李德高;赵海燕;吴立群;王汝春 | 申请（专利权）人： | 云南省化工研究院 |
| 主分类号： | C01B25/234 | 分类号： | C01B25/234 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人： | 张媛德;范严生 |
| 地址： | 650228 云南省昆*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 一种流动层析结晶法制备高纯磷酸的方法涉及高纯磷酸制备技术，尤其是用工业磷酸制取高纯磷酸的生产方法，本发明包括以下步骤：(1)用于结晶的原料磷酸经0.1-0.5μm的膜过滤后备用；(2)在结晶器中充满磷酸，保持磷酸温度为12-20℃，将磷酸晶种加入结晶器中静置1-20min，或用频率20-40KHz的外加声场作用于静置磷酸10-30min；(3)在磷酸恒温槽中使磷酸温度保持在12-20℃，用泵打入结晶器开始循环，在-15～2℃的结晶温度下让晶层生长1-2小时，将原料磷酸从结晶器中放出；(4)在0-25℃的结晶器温度下让磷酸晶层熔化蒸馏，蒸馏液排出量为晶层质量的40-50％；(5)用雾状超纯水清洗晶层表面；(6)在35-55℃的条件下融化清洗后的磷酸晶层，用超纯水稀释后得到高纯磷酸产品。通过本发明所述方法获得的高纯磷酸产品，可满足芯片湿法清洗和湿法蚀刻、晶圆硅片表面清洗、光纤玻璃生产等领域使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 流动 层析 结晶 法制 高纯 磷酸 方法 | ||
【主权项】：
一种流动层析结晶法制备高纯磷酸的方法，包括以下步骤：(1)用于结晶的原料磷酸经0.1-0.5μm的膜过滤后备用；(2)在结晶器中充满磷酸，保持磷酸温度为12-20℃，将磷酸晶种加入结晶器中静置1-20min，或用频率20-40KHz的外加声场作用于静置磷酸10-30min；(3)在磷酸恒温槽中使磷酸温度保持在12-20℃，用泵打入结晶器开始循环，在-15--2℃的结晶温度下让晶层生长1-2小时，将原料磷酸从结晶器中放出；(4)在0-25℃的结晶器温度下让磷酸晶层熔化蒸馏，蒸馏液排出量为晶层质量的40-50％；(5)用雾状超纯水清洗晶层表面；(6)在35-55℃的条件下融化清洗后的磷酸晶层，用超纯水稀释后得到高纯磷酸产品。
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