[发明专利]三氯氢硅合成炉供气结构无效
| 申请号： | 201010101111.3 | 申请日： | 2010-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN101798087A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 王国林 | 申请（专利权）人： | 江苏福斯特石化装备有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 225500 江苏省姜堰市经*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三氯氢硅合成炉供气结构，它包括反应段、供气室及其相配合处平置的气体分布板，板状的气体分布板板面上均布轴向通孔，朝反应段一侧的通孔为螺孔，每只螺孔都配装喷嘴。所述喷嘴为内空结构，其上端为盲端，底端敞口与气体分布板上的通孔相通，腰部壁上对称设有朝下斜置的出气口，出气口轴线与喷嘴轴线相交的夹角为40°～50°。输入的氯化氢气从气体分布板中的通孔进入喷嘴，再顺着喷嘴壁上的斜置出气口喷向气体分布板上表面形成折射，斜喷出的氯化氢气在反应段内反复折射，增加了与硅粉合成反应机会，可显著提高合成效率。本发明适合作各种规格三氯氢硅合成炉的供气结构。 | ||
| 搜索关键词： | 三氯氢硅 合成 供气 结构 | ||
【主权项】：
一种三氯氢硅合成炉供气结构，它包括反应段(1)、供气室(4)及其相配合处平置的气体分布板(3)，板状的气体分布板(3)板面上均布轴向通孔(3.1)，朝反应段(1)一侧的通孔(3.1)为螺孔，每只螺孔都配装喷嘴(2)；其特征在于：内空结构的喷嘴(2)上端为盲端，底端敞口与气体分布板(3)上的通孔(3.1)相通，喷嘴(2)腰部壁上对称设有出气口(2.1)。
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