[发明专利]通过添加氧族合金元素提高铜抗腐蚀能力的方法

摘要

本发明涉及一种通过添加氧族合金元素提高铜抗腐蚀能力的方法。是将S、Se、Te分别与Cu混合；在电弧炉中反复熔炼，制成Cu-S、Cu-Se或Cu-Te合金；并在加热炉中退火、保温一定时间，冷却至室温，制备成抗腐蚀铜。铜被腐蚀后表面被针状的晶须覆盖，晶须密度高，添加了合金元素后，合金元素就会部分替代氧进入到铜的氧化物晶格中，减弱了铜空位的形成能力，阻碍了铜的晶格扩散，提高了表面氧化铜的保护能力，使合金铜的抗腐蚀能力强于纯铜。充分利用铜冶炼过程中残留的Se和Te，既能提高铜的抗腐蚀能力，又能降低生产成本。现有的集成电路中封装材料的封装温度低于673K，使用Cu-Se、Cu-Te合金作引线框架材料不仅提高了封装材料的抗腐蚀能力，还降低了封装成本。

主权项

一种通过添加氧族合金元素提高铜抗腐蚀能力的方法，其特征在于，包括以下顺序和步骤：a、将0.05-0.5wt.％纯度99.99wt.％的氧族合金元素分别与99.5-99.95wt.％的纯度为99.99wt.％的纯Cu混合；b、将分别混合后的物料分别置于电弧炉中，然后将炉体抽真空，通入高纯氩气，高纯氩气通入流量为3000-6000cm3/min，气压为一个大气压；c、启动电弧炉，在1133℃-1183℃通过辉光放电使铜融化，反复熔炼6-8次，每次熔炼5分钟，制成Cu-S、Cu-Se或Cu-Te合金；d、将制成Cu-S、Cu-Se或Cu-Te的合金分别放入通有高纯氢气的加热炉中在400℃-700℃温度中进行退火；e、在退火温度内保温360～1440min，在通有高纯氢气的环境中冷却至室温，制备成抗腐蚀铜。