[发明专利]在电子束曝光前对涂有光刻胶的晶片进行聚焦调节的方法无效
| 申请号： | 201010102016.5 | 申请日： | 2010-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN101794085A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 王秀平;杨晓红;韩勤 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G03F7/207 | 分类号： | G03F7/207 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了在电子束曝光前对涂有光刻胶的晶片进行聚焦调节的方法，包括：在开启电子束曝光设备以后，选择加速电压为10kV，电子束束闸大小为30μm，在涂有电子束光刻胶的晶片表面寻找颗粒聚焦，在低放大倍数下对电子束在表面的聚焦状况进行粗调；提高放大倍数，寻找更小的颗粒，继续对电子束在表面的聚焦状况进行微调，使得颗粒有清晰的边缘；将束闸大小改为10μm，调高亮度和对比度，将放大倍数保持在100k以上，在聚焦的颗粒附近对角线方向进行烧点；将束闸大小改为30μm，降低亮度和对比度，找到刚才烧的点，继续对电子束在表面的聚焦状况进行调节，直到点的边缘清晰，然后继续沿对角线方向烧点。本发明解决了涂在晶片上的电子束光刻胶表面烧不上点的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 曝光 光刻 晶片 进行 聚焦 调节 方法 | ||
【主权项】：
一种在电子束曝光前对涂有光刻胶的晶片进行聚焦调节的方法，其特征在于，包括以下步骤：A、在开启电子束曝光设备以后，选择加速电压为10kV，电子束束闸大小为30μm，在涂有电子束光刻胶的晶片表面寻找颗粒聚焦，在低放大倍数下对电子束在表面的聚焦状况进行粗调；B、提高放大倍数，寻找更小的颗粒，继续对电子束在表面的聚焦状况进行微调，使得颗粒有清晰的边缘；C、将束闸大小改为10μm，调高亮度和对比度，将放大倍数保持在100k以上，在聚焦的颗粒附近对角线方向进行烧点；D、将束闸大小改为30μm，降低亮度和对比度，找到刚才烧的点，继续对电子束在表面的聚焦状况进行调节，直到点的边缘清晰，然后继续沿对角线方向烧点。
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