[发明专利]多金属钨栅极刻蚀方法无效
| 申请号： | 201010102341.1 | 申请日： | 2010-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN101789369A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 齐龙茵;奚裴 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭露了一种多金属钨栅极刻蚀方法，该刻蚀方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有栅极氧化层、多晶硅层、阻挡层、钨层以及图形化的硬掩膜层；将所述半导体衬底放置于刻蚀设备的反应室中；以所述图形化的硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述钨层、阻挡层、多晶硅层以及栅极氧化层，以形成多金属钨栅极，其中，刻蚀所述钨层和阻挡层所采用的刻蚀气体为氯气和三氟化氮，所述氯气和三氟化氮的气体比例为1∶1～2∶1。本发明可减小负载效应，并可获得具有较佳的边缘轮廓的多金属钨栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种多金属钨栅极刻蚀方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有栅极氧化层、多晶硅层、阻挡层、钨层以及图形化的硬掩膜层；将所述半导体衬底放置于刻蚀设备的反应室中；以所述图形化的硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述钨层、阻挡层、多晶硅层以及栅极氧化层，以形成多金属钨栅极；其中，刻蚀所述钨层和阻挡层所采用的刻蚀气体为氯气和三氟化氮，所述氯气和三氟化氮的气体比例为1∶1～2∶1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010102341.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：铁基复合型水处理剂FPFS-1及制备方法
- 下一篇：一种电机负载模拟方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
