[发明专利]共享字线的无触点分栅式闪存有效
申请号: | 201010102359.1 | 申请日: | 2010-01-28 |
公开(公告)号: | CN101794787A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 曹子贵;张雄 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L29/788;H01L29/423;G11C7/10 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提出一种共享字线的无触点分栅式闪存,包括:半导体衬底,其上具有间隔设置的源极区域和漏极区域;沟道区,位于源极区域和漏极区域之间;第一位线和第二位线,分别连接于源极区域和漏极区域;第一浮栅和第二浮栅,分别设置于沟道区和源极区域或漏极区域上方,第一浮栅和第二浮栅分别构成第一存储位单元和第二存储位单元;第一控制栅和第二控制栅,分别设置于第一浮栅和第二浮栅上方;字线,位于沟道区上方并位于第一浮栅和第二浮栅之间,字线两侧具有弧形结构延伸至第一位线和第二位线上方,并通过绝缘层与第一位线和第二位线顶部相连接。本发明提出一种共享字线的无触点分栅式闪存,有效地缩小芯片的面积,同时也可以避免过擦除的问题。 | ||
搜索关键词: | 共享 触点 分栅式 闪存 | ||
【主权项】:
一种共享字线的无触点分栅式闪存,其特征在于,包括:半导体衬底,其上具有间隔设置的源极区域和漏极区域;沟道区,位于所述源极区域和漏极区域之间;第一位线和第二位线,分别连接于所述源极区域和漏极区域;第一浮栅,设置于所述沟道区和源极区域上方;第二浮栅,设置于所述沟道区和漏极区域上方,所述第一浮栅和第二浮栅分别构成第一存储位单元和第二存储位单元;第一控制栅和第二控制栅,分别设置于所述第一浮栅和第二浮栅上方;字线,位于所述沟道区上方并位于所述第一浮栅和第二浮栅之间,所述字线两侧具有弧形结构延伸至所述第一位线和第二位线上方,并通过绝缘层与所述第一位线和第二位线顶部相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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