[发明专利]共享字线的无触点分栅式闪存有效

专利信息
申请号: 201010102359.1 申请日: 2010-01-28
公开(公告)号: CN101794787A 公开(公告)日: 2010-08-04
发明(设计)人: 曹子贵;张雄 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;H01L29/788;H01L29/423;G11C7/10
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 201203 上海*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提出一种共享字线的无触点分栅式闪存,包括:半导体衬底,其上具有间隔设置的源极区域和漏极区域;沟道区,位于源极区域和漏极区域之间;第一位线和第二位线,分别连接于源极区域和漏极区域;第一浮栅和第二浮栅,分别设置于沟道区和源极区域或漏极区域上方,第一浮栅和第二浮栅分别构成第一存储位单元和第二存储位单元;第一控制栅和第二控制栅,分别设置于第一浮栅和第二浮栅上方;字线,位于沟道区上方并位于第一浮栅和第二浮栅之间,字线两侧具有弧形结构延伸至第一位线和第二位线上方,并通过绝缘层与第一位线和第二位线顶部相连接。本发明提出一种共享字线的无触点分栅式闪存,有效地缩小芯片的面积,同时也可以避免过擦除的问题。
搜索关键词: 共享 触点 分栅式 闪存
【主权项】:
一种共享字线的无触点分栅式闪存,其特征在于,包括:半导体衬底,其上具有间隔设置的源极区域和漏极区域;沟道区,位于所述源极区域和漏极区域之间;第一位线和第二位线,分别连接于所述源极区域和漏极区域;第一浮栅,设置于所述沟道区和源极区域上方;第二浮栅,设置于所述沟道区和漏极区域上方,所述第一浮栅和第二浮栅分别构成第一存储位单元和第二存储位单元;第一控制栅和第二控制栅,分别设置于所述第一浮栅和第二浮栅上方;字线,位于所述沟道区上方并位于所述第一浮栅和第二浮栅之间,所述字线两侧具有弧形结构延伸至所述第一位线和第二位线上方,并通过绝缘层与所述第一位线和第二位线顶部相连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司,未经上海宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010102359.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top